公告摘要：
GaNHEMTs器件试制
统一信息编码：HLJDXQ20250416007 主要内容 1.微波GaN 功率载片： 1）单指栅宽100μm，数量100只： GSG接口器件：器件尺寸有0.2 mm、0.4 mm（栅栅间距含12.5 mm,15 mm,17.5mm,20 mm）、0.6 mm、0.8 mm；......
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GaNHEMTs器件试制
统一信息编码：HLJDXQ20250416007 主要内容 1.微波GaN 功率载片： 1）单指栅宽100μm，数量100只： GSG接口器件：器件尺寸有0.2 mm、0.4 mm（栅栅间距含12.5 mm,15 mm,17.5mm,20 mm）、0.6 mm、0.8 mm；......
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